Биполярные транзисторы — это полупроводниковые устройства, которые используются для усиления и переключения электрических сигналов. Они состоят из трех слоев полупроводникового материала, которые образуют два p-n перехода.

Существует два основных типа биполярных транзисторов:

NPN-транзистор: В этом типе транзистора два слоя n-типа полупроводника разделены слоем p-типа. Когда ток течет через базу (p-тип), это позволяет основному току проходить от коллектора к эмиттеру.

PNP-транзистор: Здесь два слоя p-типа полупроводника разделены слоем n-типа. Ток в этом транзисторе течет в обратном направлении по сравнению с NPN-транзистором, от эмиттера к коллектору, когда ток подается на базу.

Основные параметры биполярных транзисторов:

Коэффициент усиления по току (β): Отношение тока коллектора к току базы, показывающее, насколько эффективно транзистор усиливает ток.
Максимальное напряжение коллектора-эмиттера (V_CEmax): Максимальное напряжение, которое транзистор может выдерживать между коллектором и эмиттером без разрушения.
Скорость переключения: Время, необходимое транзистору для переключения из состояния «включено» в состояние «выключено» и наоборот.
Биполярные транзисторы широко используются в усилительных каскадах, в цифровых схемах и в схемах с коммутируемыми источниками питания из-за их способности управлять большими токами и высоким коэффициентом усиления.